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NSM21156DW6T1G

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NSM21156DW6T1G
双极晶体管阵列,预偏置
Sanyo Semiconductor/onsemi
TRANS NPN PREBI
-
卷带式 (TR)
100
产品参数
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
类型描述
制造商Sanyo Semiconductor/onsemi
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态OBSOLETE
包装/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型Surface Mount
晶体管类型1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
功率 - 最大230mW
集电极电流 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V, 65V
Vce 饱和度(最大值)@Ib、Ic250mV @ 300µA, 10mA / 300mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大)500nA
直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
电阻器 - 基极 (R1)10kOhms
电阻器 - 发射极基极 (R2)10kOhms
供应商设备包SC-88/SC70-6/SOT-363
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