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MUN5130DW1T1G
双极晶体管阵列,预偏置
Sanyo Semiconductor/onsemi
TRANS PREBIAS 2
-
卷带式 (TR)
9100
1
: 9100

1

$0.3200

$0.3200

10

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MUN5130DW1T1G
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产品参数
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类型描述
制造商Sanyo Semiconductor/onsemi
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型Surface Mount
晶体管类型2 PNP - Pre-Biased (Dual)
功率 - 最大250mW
集电极电流 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
Vce 饱和度(最大值)@Ib、Ic250mV @ 5mA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大)500nA
直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce3 @ 5mA, 10V
电阻器 - 基极 (R1)1kOhms
电阻器 - 发射极基极 (R2)1kOhms
供应商设备包SC-88/SC70-6/SOT-363
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