| ： | ISC032N12LM6ATMA1 |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | IR (Infineon Technologies) |
| ： | TRENCH >=100V |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 100 |
| ： | 1 |
1
$3.9300
$3.9300
10
$3.3000
$33.0000
100
$2.6700
$267.0000
500
$2.3800
$1,190.0000
1000
$2.0300
$2,030.0000
2000
$1.9200
$3,840.0000
5000
$1.8400
$9,200.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | IR (Infineon Technologies) |
| 系列 | OptiMOS™ 6 |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerTDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 170A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 3.2mOhm @ 50A, 10V |
| 功耗（最大） | 3W (Ta), 211W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.2V @ 110µA |
| 供应商设备包 | PG-TDSON-8 FL |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 3.3V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 120 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 82 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 5700 pF @ 60 V |
