| ： | IQD063N15NM5ATMA1 |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | IR (Infineon Technologies) |
| ： | TRENCH >=100V |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 5100 |
| ： | 1 |
1
$4.8300
$4.8300
10
$4.0600
$40.6000
100
$3.2800
$328.0000
500
$2.9200
$1,460.0000
1000
$2.5000
$2,500.0000
2000
$2.3500
$4,700.0000
5000
$2.2600
$11,300.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | IR (Infineon Technologies) |
| 系列 | OptiMOS™ 5 |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerTDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 14.1A (Ta), 148A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 6.32mOhm @ 50A, 10V |
| 功耗（最大） | 2.5W (Ta), 278W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4.6V @ 159µA |
| 供应商设备包 | PG-TSON-8-9 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 8V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 150 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 60 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 4700 pF @ 75 V |
