| ： | HT8KC6TB1 |
|---|---|
| ： | FET、MOSFET 阵列 |
| ： | ROHM Semiconductor |
| ： | 60V 15A, DUAL N |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 100 |
| ： | |
1
$1.5100
$1.5100
10
$1.3500
$13.5000
25
$1.2800
$32.0000
100
$1.0500
$105.0000
250
$0.9900
$247.5000
500
$0.8700
$435.0000
1000
$0.6900
$690.0000
3000
$0.6400
$1,920.0000
6000
$0.6100
$3,660.0000
15000
$0.5900
$8,850.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerVDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 N-Channel |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 2W (Ta), 14W (Tc) |
| 漏源电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta), 15A (Tc) |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 460pF @ 30V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 29mOhm @ 6.5A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 7.6nC @ 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 1mA |
| 供应商设备包 | 8-HSMT (3.2x3) |
