| ： | G2K2P10D3E |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Goford Semiconductor |
| ： | MOSFET P-CH ESD |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 5070 |
| ： | 1 |
1
$0.5800
$0.5800
10
$0.4900
$4.9000
100
$0.3400
$34.0000
500
$0.2700
$135.0000
1000
$0.2200
$220.0000
2000
$0.1900
$380.0000
5000
$0.1800
$900.0000
10000
$0.1700
$1,700.0000
25000
$0.1700
$4,250.0000
50000
$0.1600
$8,000.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerVDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | P-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 210mOhm @ 6A, 10V |
| 功耗（最大） | 31W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 250µA |
| 供应商设备包 | 8-DFN (3.15x3.05) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 100 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 33 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1668 pF @ 50 V |
