| ： | G1K1P06LH |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Goford Semiconductor |
| ： | MOSFET P-CH 60 |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 3100 |
| ： | 1 |
1
$0.4100
$0.4100
10
$0.2900
$2.9000
100
$0.1500
$15.0000
500
$0.1300
$65.0000
1000
$0.1000
$100.0000
3000
$0.0900
$270.0000
6000
$0.0900
$540.0000
9000
$0.0800
$720.0000
30000
$0.0800
$2,400.0000
75000
$0.0700
$5,250.0000
150000
$0.0600
$9,000.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 110mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4V @ 250µA |
| 供应商设备包 | SOT-23-3 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 60 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 11 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 970 pF @ 30 V |
