| ： | FDS6930B |
|---|---|
| ： | FET、MOSFET 阵列 |
| ： | Sanyo Semiconductor/onsemi |
| ： | MOSFET 2N-CH 30 |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 3488 |
| ： | 1 |
1
$0.6500
$0.6500
10
$0.5600
$5.6000
100
$0.3900
$39.0000
2500
$0.2200
$550.0000
5000
$0.2100
$1,050.0000
12500
$0.1900
$2,375.0000
25000
$0.1900
$4,750.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Sanyo Semiconductor/onsemi |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | LAST_TIME_BUY |
| 包装/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 900mW |
| 漏源电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 5.5A |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 412pF @ 15V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 38mOhm @ 5.5A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 3.8nC @ 5V |
| 场效应管特性 | Logic Level Gate |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 3V @ 250µA |
| 供应商设备包 | 8-SOIC |
