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APT35GN120L2DQ2G

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  • image of 单 IGBT APT35GN120L2DQ2G
APT35GN120L2DQ2G
单 IGBT
Roving Networks (Microchip Technology)
IGBT NPT FIELD
-
管子
160
1
: 160

1

$10.7800

$10.7800

100

$8.7600

$876.0000

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产品参数
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类型描述
制造商Roving Networks (Microchip Technology)
系列-
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-264-3, TO-264AA
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
输入类型Standard
Vce(on)(最大值)@Vge, Ic2.1V @ 15V, 35A
IGBT类型NPT, Trench Field Stop
Td(开/关)@ 25°C24ns/300ns
开关能量2.315mJ (off)
测试条件800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
栅极电荷220 nC
集电极电流 (Ic)(最大)94 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200 V
集电极脉冲电流 (Icm)105 A
功率 - 最大379 W
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