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APT10035B2LLG

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APT10035B2LLG
单 FET、MOSFET
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100
-
管子
100
1
产品参数
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
PDF(4)
类型描述
制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-3 Variant
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C28A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs350mOhm @ 14A, 10V
功耗(最大)690W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id5V @ 2.5mA
供应商设备包T-MAX™ [B2]
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±30V
漏源电压 (Vdss)1000 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs186 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds5185 pF @ 25 V
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