| ： | AIMZHN120R120M1TXKSA1 |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | IR (Infineon Technologies) |
| ： | SIC_DISCRETE |
| ： | - |
| ： | 管子 |
| ： | 100 |
| ： | 1 |
1
$11.1700
$11.1700
10
$9.5700
$95.7000
240
$7.5100
$1,802.4000
720
$7.0400
$5,068.8000
1200
$6.3400
$7,608.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | IR (Infineon Technologies) |
| 系列 | - |
| 包裹 | 管子 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-247-4 |
| 安装类型 | Through Hole |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 150mOhm @ 7A, 20V |
| 功耗（最大） | 133W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 5.1V @ 2.2mA |
| 供应商设备包 | PG-TO247-4-14 |
| 年级 | Automotive |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 18V, 20V |
| Vgs（最大） | +23V, -5V |
| 漏源电压 (Vdss) | 1200 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 18 nC @ 20 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 458 pF @ 800 V |
| 资质 | AEC-Q101 |
