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ADN-S-32-15-I-P-A

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  • image of 执行器/气缸 ADN-S-32-15-I-P-A
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： ADN-S-32-15-I-P-A
： 执行器/气缸
： Festo
： COMPACT CYLINDE
： -
： 散装
： 104
： 1
: 104

1

$57.2400

$57.2400

获取报价信息
FFSH15120ADN-F155
安森美-ONSEMI
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 15 A, 1200 V, D1, TO-247-3L
FFSH20120ADN-F155
安森美-ONSEMI
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 1200 V, D1, TO-247-3L
FFSH40120ADN-F085
安森美-ONSEMI
SiC，双裸片，1200 V，40 A
FFSH40120ADN-F155
安森美-ONSEMI
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 40 A, 1200 V, D1, TO-247-3L
FFSH10120ADN-F155
安森美-ONSEMI
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 10 A, 1200 V, D1, TO-247-3L
FFSH4065ADN-F155
安森美-ONSEMI
SiC 二极管，650V，40A，TO-247-3，共阴极
FFSH20120ADN-F085
安森美-ONSEMI
SiC，双裸片，1200 V，20 A
FFSH3065ADN-F155
安森美-ONSEMI
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 30 A, 650 V, D1, TO-247-3L
FFSH30120ADN-F155
安森美-ONSEMI
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 30 A, 1200 V, D1, TO-247-3L
FFSH2065ADN-F155
安森美-ONSEMI
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 650 V, D1, TO-247-3L
FFSH1665ADN-F155
安森美-ONSEMI
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 16 A, 650 V, D1, TO-247-3L
GADN-MG9L0
Antzer
CAN Bus + GNSS M.2 Card
GADN-FG7L0
Antzer
CAN Bus + GNSS mPCIe Card
GADN-FG7U0
Antzer
CAN Bus + GNSS mPCIe Card
GADN-MG9LA
Antzer
CAN Bus + GNSS M.2 Card
FM100N96ADN-F51945R
未来芯-FutureWafer
Trench MOSFET
产品参数
PDF(1)
PDF(2)
类型描述
制造商Festo
系列ADN-S
包裹散装
产品状态ACTIVE
运营压力9 ~ 145 PSI (0.6 ~ 10 bar)
类型Linear Actuator
工作温度0°C ~ 60°C
行程0.591" (15.00mm)
连接方式M5
手术Double Acting
建造Compact Cylinder
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